【導(dǎo)讀】自 2018 年啟動(dòng)工控與儲(chǔ)能市場(chǎng)戰(zhàn)略布局以來(lái)，上海貝嶺始終聚焦光伏儲(chǔ)能、伺服變頻、工業(yè)電源、BMS、電動(dòng)工具、電動(dòng)車等核心領(lǐng)域，專注于為客戶打造高性價(jià)比的半導(dǎo)體產(chǎn)品及系統(tǒng)解決方案。公司產(chǎn)品矩陣覆蓋電源管理、信號(hào)鏈產(chǎn)品、功率器件三大核心領(lǐng)域，依托功率器件、電源管理、接口芯片、隔離器、存儲(chǔ)器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)八大產(chǎn)品線，成功構(gòu)建起全面的模擬與數(shù)?；旌袭a(chǎn)品解決方案平臺(tái)。其中，在高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，公司產(chǎn)品覆蓋率已突破 80%。
圖 1：高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)典型框圖
一、主功率鏈產(chǎn)品介紹
在高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)主功率鏈的產(chǎn)品供給上，上海貝嶺可提供 650V 全系列 IGBT 產(chǎn)品，同時(shí)搭配柵極驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品形成完整配套，具體產(chǎn)品信息如下：
（一）650V 10A~75A 系列 IGBT 產(chǎn)品
650V 10A~75A 系列 IGBT 產(chǎn)品圖片（封裝形式）
該系列產(chǎn)品基于上海貝嶺 G2 Trench FS IGBT 工藝平臺(tái)研發(fā)，工藝水平對(duì)標(biāo)市場(chǎng)主流 H4 代產(chǎn)品。產(chǎn)品采用 3um pitch 微溝槽工藝，正面結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，優(yōu)化 “Gate 溝槽 + dummy 溝槽” 比例，背面則運(yùn)用改進(jìn)的 H FS 工藝，不僅實(shí)現(xiàn)了出色的 Vcesat-Eoff 折衷特性，還具備優(yōu)秀的短路能力；終端部分采用優(yōu)化的 “FLR + 場(chǎng)板技術(shù)”，最高工作結(jié)溫可達(dá) 175℃，且能通過(guò) HV-H3TRB 加嚴(yán)可靠性測(cè)試。
針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景，該系列提供三個(gè)版本的電機(jī)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品：
低頻版：采用先進(jìn)的正面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在 Vge≤15V 條件下，短路能力達(dá) tsc=5us，同時(shí)擁有較低的 Vcesat，推薦應(yīng)用頻率為 2~25kHz，目前已在高壓伺服、工業(yè)縫紉機(jī)、跑步機(jī)等電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)批量應(yīng)用；
低頻版 plus：對(duì)正面結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化，Vge≤16.5V 時(shí)短路能力保持 tsc=5us，Vcesat 典型值為 1.55V，能為變頻器等電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供更適配的支持；
高頻版：憑借優(yōu)異的 Vcesat-Eoff 折衷特性，可滿足客戶最高 60kHz 的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用頻率需求。
（二）650V 80A~200A 系列 IGBT 產(chǎn)品
650V 80A~200A 系列 IGBT 產(chǎn)品圖片（封裝形式）
此系列基于上海貝嶺 G3 Trench FS IGBT 工藝平臺(tái)，對(duì)標(biāo)市場(chǎng)主流 H5 代與 H7 代產(chǎn)品工藝。采用更先進(jìn)的 1.6um pitch 微溝槽工藝，正面結(jié)構(gòu)通過(guò)優(yōu)化 “Gate 溝槽 + E 短接溝槽 + dummy 溝槽” 三種溝槽的設(shè)計(jì)比例，背面結(jié)合改進(jìn)的 H FS 工藝，在實(shí)現(xiàn)較低 Vceast 的同時(shí)，具備良好的開關(guān)損耗表現(xiàn)，充分滿足電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用對(duì)短路能力的要求；終端采用優(yōu)化的 “VLD 技術(shù)”，在提升芯片有效面積占比的同時(shí)，最高工作結(jié)溫可達(dá) 175℃，且可通過(guò) HV-H3TRB 加嚴(yán)可靠性測(cè)試。
該系列同樣提供三個(gè)版本的電機(jī)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品：
低頻版：Vcesat 典型值為 1.5V，Vge≤15V 時(shí)短路能力達(dá) tsc=3us，推薦應(yīng)用頻率 2~25kHz；
高頻版：Vcesat 典型值為 1.5V，推薦應(yīng)用頻率 20~30kHz，適用于光伏儲(chǔ)能、工業(yè)焊機(jī)等領(lǐng)域；
特高頻版：Vcesat 典型值為 1.6V，推薦應(yīng)用頻率 30~50kHz，主要應(yīng)用于充電樁、工業(yè)電源、工業(yè)焊機(jī)等場(chǎng)景。
此外，為滿足不同客戶的個(gè)性化需求，該系列還可提供低頻版 plus 定制服務(wù)，定制產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn) Vge≤16.5V、tsc=5us 的短路能力，Vcesat 典型值為 1.5V。
（三）柵極驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品 - SA3626A/BL2601A
SA2636A：一款最高耐壓 650V 的全橋驅(qū)動(dòng)器，主要用于驅(qū)動(dòng)三相系統(tǒng)中的 MOSFET 或 IGBT。其低側(cè)兼容 3.3V 邏輯控制，具備 300mA/600mA 的拉灌電流能力；芯片集成欠壓鎖定功能與可調(diào)電阻過(guò)流檢測(cè)功能，出現(xiàn)故障時(shí)可立即關(guān)斷所有開關(guān)并輸出錯(cuò)誤信號(hào)，同時(shí)內(nèi)置 290ns 死區(qū)時(shí)間，有效提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的安全性。
BL2601A：專為驅(qū)動(dòng)雙 NMOS 或 IGBT 設(shè)計(jì)的高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，工作電壓最高可達(dá) 600V。芯片內(nèi)置 VCC/VBS 欠壓保護(hù)（UVLO）功能，輸入兼容 3.3-15V 邏輯，上下管延時(shí)匹配典型值為 50ns，驅(qū)動(dòng)能力達(dá) + 0.3A/-0.6A，采用 SOP8 封裝。
二、高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)全鏈路芯片一站式選型指南
在高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，除核心的電機(jī)驅(qū)動(dòng)主功率變換鏈外，高效的電源管理與精確的信號(hào)處理，同樣是保障系統(tǒng)穩(wěn)定、可靠運(yùn)行的關(guān)鍵要素。上海貝嶺依托全面的模擬芯片產(chǎn)品線，可為高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)提供完整配套解決方案：其中，電源管理芯片（包括 PWM 控制器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、LDO 及穩(wěn)壓器等），能為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的控制電路、傳感器及接口提供穩(wěn)定、潔凈的各級(jí)供電；信號(hào)鏈芯片（涵蓋隔離接口、運(yùn)算放大器、EEPROM 等）則承擔(dān)關(guān)鍵信號(hào)的隔離、調(diào)理、通信及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能。這兩類芯片與電機(jī)驅(qū)動(dòng)主功率鏈協(xié)同運(yùn)作，共同構(gòu)建起高性能、高集成度的電機(jī)驅(qū)動(dòng)平臺(tái)。
