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用負(fù)阻原理設(shè)計(jì)高穩(wěn)定度VCO
介紹了利用負(fù)阻原理、采用改進(jìn)型克拉潑電路設(shè)計(jì)的高穩(wěn)定度LC壓控振蕩器(VCO),其頻率范圍為180MHz～210MHz。用ADS進(jìn)行了仿真,最后給出了測(cè)量結(jié)果,實(shí)際表明它們是一致的。該電路采用相角補(bǔ)償,提高了頻率穩(wěn)定度,降低了相位噪聲。該方法設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、調(diào)試方便、成本低。
2008-10-30
負(fù)阻 VCO 克拉潑電路 相位噪聲
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軟件鎖相技術(shù)在柴油發(fā)電機(jī)組監(jiān)控系統(tǒng)中的應(yīng)用
闡述了鎖相技術(shù)的基本原理,根據(jù)硬件鎖相技術(shù)的特點(diǎn),建立了軟件鎖相算法的數(shù)學(xué)模型,并給出了該技術(shù)的基本軟件算法。將該技術(shù)應(yīng)用到柴油發(fā)電機(jī)組監(jiān)控系統(tǒng)中,通過(guò)測(cè)試結(jié)果證明了該技術(shù)的可行性和有效性。
2008-10-30
軟件鎖相 柴油發(fā)電機(jī) 數(shù)學(xué)模型
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基于場(chǎng)效應(yīng)管的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路設(shè)計(jì)
本文主要講了直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路總體結(jié)構(gòu)，H橋功率驅(qū)動(dòng)原理，直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路設(shè)計(jì)。
2008-10-30
直流電機(jī) 驅(qū)動(dòng) PWM MOSFET
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設(shè)計(jì)非隔離型反激LED驅(qū)動(dòng)器
反激型LED驅(qū)動(dòng)器比較通用，因?yàn)樵摻Y(jié)構(gòu)可以用于輸入電壓高于或低于所要求的輸出電壓。本文所描述的電路基于高度集成的MAX16802 PWM LED驅(qū)動(dòng)器IC，是一個(gè)驅(qū)動(dòng)高亮度LED的簡(jiǎn)單電路，只需很少的外圍元件，而且提供了線(xiàn)性和PWM亮度調(diào)節(jié)的功能。
2008-10-29
MAX16802 PWM LED驅(qū)動(dòng)器
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歐洲光伏工業(yè)協(xié)會(huì)對(duì)未來(lái)光伏行業(yè)的預(yù)測(cè)
據(jù)專(zhuān)家預(yù)測(cè)，太陽(yáng)能因其顯著的優(yōu)點(diǎn)將成為人類(lèi)理想的替代能源，市場(chǎng)上有望出現(xiàn)并網(wǎng)太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的建設(shè)高潮。本文介紹了太陽(yáng)能供電系統(tǒng)的基本概念，并結(jié)合具體電路說(shuō)明用于并網(wǎng)太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的逆變器智能控制技術(shù)。
2008-10-29
太陽(yáng)能供電系統(tǒng) 逆變器 MPP點(diǎn) MPPT (DSC)—TMS320F2833x
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太陽(yáng)能設(shè)備發(fā)展情況概述
近年來(lái)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，我國(guó)光伏設(shè)備已具備太陽(yáng)能電池整線(xiàn)制造的基本能力，但高端設(shè)備仍需進(jìn)口。太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展帶動(dòng)我國(guó)光伏設(shè)備的換代升級(jí)，國(guó)產(chǎn)設(shè)備也相繼在大生產(chǎn)線(xiàn)應(yīng)用且發(fā)展勢(shì)頭良好。目前提高效率降低成本仍是國(guó)產(chǎn)光伏設(shè)備的進(jìn)一步的發(fā)展方向。
2008-10-28
光伏設(shè)備 硅片加工 硅材料提純 提高效率降低成本
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ABB變頻器在風(fēng)力發(fā)電行業(yè)的應(yīng)用
本文簡(jiǎn)介了四種風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)，講述了變速恒頻雙饋風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)工作原理以及ABB風(fēng)力發(fā)電變頻器，最后講了一個(gè)應(yīng)用案例。
2008-10-23
風(fēng)力發(fā)電 ABB 變頻器
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IGBT技術(shù)——半導(dǎo)體技術(shù)與封裝的完美匹配
本文討論了IGBT2、IGBT3 以及SEMITRANS模塊采用的新IGBT4 半導(dǎo)體技術(shù)之間的區(qū)別，并展示了在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來(lái)的性能提升。
2008-10-23
IGBT 半導(dǎo)體 開(kāi)關(guān) 外殼
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變頻調(diào)速技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及前景展望
本文講了變頻調(diào)速技術(shù)的發(fā)展概況，變頻調(diào)速技術(shù)國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀以及變頻調(diào)速未來(lái)的發(fā)展方向。
2008-10-23
變頻調(diào)速 現(xiàn)狀 發(fā)展 變頻器
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