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變頻技術(shù)在設(shè)備改造中的應(yīng)用
本文主要講了SGZ1000-N 型三足式全自動(dòng)下部卸料離心機(jī)的改造,采用變頻器對離心機(jī)的電動(dòng)機(jī)進(jìn)行控制。
2008-10-23
變頻器 調(diào)速 輸出頻率
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高壓大功率變頻器在長輸管道上的應(yīng)用
高壓大功率的大型變頻器在長輸管道輸油生產(chǎn)過程中應(yīng)用可以節(jié)省電力,提高系統(tǒng)穩(wěn)定性,本文介紹了秦京線的應(yīng)用實(shí)例。
2008-10-23
變頻器 長輸管道 節(jié)能
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高壓交流隔離開關(guān)和接地開關(guān)選用的若干問題
本文分析了高壓交流隔離開關(guān)和接地開關(guān)選用的若干問題,包括:隔離開關(guān)開合母線轉(zhuǎn)換電流、接地開關(guān)開合感應(yīng)電流、單柱垂直斷口隔離開關(guān)的額定接觸區(qū)、接地開關(guān)的短路持續(xù)時(shí)間和隔離開關(guān)的過載能力、接地開關(guān)的長期通流問題、絕緣子爬電距離是否需要進(jìn)行海拔修正的問題。
2008-10-23
隔離開關(guān) 接地開關(guān) 轉(zhuǎn)換電流 隔離電流 接觸區(qū)
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP :Vishay新型功率MOSFET
日前,Vishay推出一款新型 25V n 通道器件,從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列,對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言,該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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廣交會(huì)機(jī)電產(chǎn)品成交降13% 歐美客戶狠壓價(jià)
機(jī)電歡喜紡織愁的出口走勢悄然變化,中國外貿(mào)額中占到半壁的機(jī)電產(chǎn)品在金融海嘯沖擊下出口增速也很可能下滑。廣交會(huì)昨日對外公布第104屆一期情況,機(jī)電產(chǎn)品成交不容樂觀。廣交會(huì)昨日公布的數(shù)據(jù)顯示,本屆廣交會(huì)第一期到會(huì)境外采購商共87305人,出口累計(jì)成交164.5億美元,其中機(jī)電產(chǎn)品139.2億美元,...
2008-10-22
機(jī)電
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西門子變頻器參數(shù)設(shè)置的探討
本文介紹了西門子變頻器控制方式選擇,快速調(diào)試,加減速時(shí)間調(diào)整,以及轉(zhuǎn)動(dòng)慣量設(shè)置。
2008-10-22
變頻器 控制方式 快速調(diào)試 加減速時(shí)間 轉(zhuǎn)動(dòng)慣量
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用于軟起動(dòng)器的晶閘管模塊SEMiSTART
本文介紹了電機(jī)起動(dòng)控制的三種方式,軟起動(dòng)器對晶閘管的要求,晶閘管模塊中使用的裝配和連接技術(shù)以及SEMiSTAT模塊的技術(shù)指標(biāo)。
2008-10-22
電機(jī) 晶閘管 裝配 SEMiSTAT模塊
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自動(dòng)轉(zhuǎn)換開關(guān)電器ATSE的現(xiàn)狀選擇與應(yīng)用
本文介紹了國內(nèi)外ATSE產(chǎn)品現(xiàn)狀,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析對比及ATSE的選擇以及ATSE產(chǎn)品的應(yīng)用,最后簡介新一代PC級ATSE產(chǎn)品。
2008-10-22
ATSE PC級 轉(zhuǎn)換開關(guān)
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分立器件封裝低端市場競爭激烈
目前,半導(dǎo)體分立器件還沒有享受到像集成電路產(chǎn)業(yè)那樣的優(yōu)惠政策,不利于分立器件持續(xù)發(fā)展。中國分立器件企業(yè)要堅(jiān)持在科學(xué)發(fā)展中尋找解決困難的途徑,以積極的姿態(tài)迎接中國半導(dǎo)體美好的明天。
2008-10-21
分立器件 光電二極管 二極管 三極管 肖特基二極管
- 電阻器分類、規(guī)格要素及全球頭部廠商對比分析
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