SuperMESH3系列： ST照明和開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用功率MOSFET

意法半導(dǎo)體（ST）進(jìn)一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開(kāi)關(guān)性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開(kāi)關(guān)電源內(nèi)。SuperMESH3的創(chuàng)新技術(shù)，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。

2008-09-17

MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3

集諸多優(yōu)點(diǎn)PCB式汽車?yán)^電器市場(chǎng)繼續(xù)擴(kuò)大

汽車?yán)^電器大致分為插入式汽車?yán)^電器和PCB（印刷電路板）式汽車?yán)^電器兩大類，其中插入式汽車?yán)^電器主要裝配在中央控制盒中,配合線束使用，較PCB式而言，體積更大、載流更高、成本更高、但便于安裝和更換；而PCB式汽車?yán)^電器更多地用于汽車電子模塊中，較插入式而言，體積更小、與周邊電子電路的集...

2008-09-11

PCB式汽車?yán)^電器插入式汽車?yán)^電器繼電器

MAX4889B/MAX4889C：Maxim高速PCIe無(wú)源開(kāi)關(guān)

Maxim推出超高速、1:2或2:1 PCI Express (PCIe)無(wú)源開(kāi)關(guān)MAX4889B/MAX4889C。這兩款4路雙刀/雙擲(DPDT)開(kāi)關(guān)非常適合在兩個(gè)接收端之間切換4路單向PCIe數(shù)據(jù)。

2008-09-11

MAX4889B MAX4889C PCIe 2.0無(wú)源開(kāi)關(guān)

HD系列：EPCOS緊湊型鏈路解決方案薄膜電容器

愛(ài)普科斯(EPCOS) 推出具有高電容量密度的DC連接HD系列（B3277*）空間節(jié)約型MKP鏈路電容器，用于功率達(dá)40 kW的緊湊型變頻器。

2008-09-10

B3277* B3267* HD系列薄膜電容器 MKP鏈路電容器

未來(lái)10年錳鋅軟磁鐵氧體發(fā)展黃金時(shí)代

目前軟磁材料已成為國(guó)民經(jīng)濟(jì)各個(gè)領(lǐng)域不可缺少的功能材料，再加上隨著移動(dòng)通訊、網(wǎng)絡(luò)通訊的迅速普及以及3G通信業(yè)務(wù)的開(kāi)展，3G手機(jī)和固定可視電話將迅猛增長(zhǎng)。

2008-09-05

軟磁材料

南方芯源推出數(shù)字控制HID燈安定器方案

2008年8月，Samwin推出數(shù)字控制HID燈安定器方案，該方案采用數(shù)字控制，符合目前數(shù)字化的發(fā)展潮流。芯片控制技術(shù)可使出廠調(diào)試的工作量大大減少，且恒流精度達(dá)到35W ±0.5W，外圍器件少，可靠性高。

2008-08-30

HID燈安定器數(shù)字控制

VO3526：Vishay 新型1A輸出電流整合功率光敏可控硅

Vishay推出一款可輸出 1A 電流來(lái)驅(qū)動(dòng)電阻及電感負(fù)載的整合功率光敏可控硅，從而拓寬了其光電子產(chǎn)品系列。由于消除了對(duì)外部功率 TRIAC 的需求，該器件可降低設(shè)計(jì)成本并節(jié)省板面空間。

2008-08-27

VO3526 可控硅

SKSE系列：ALPS新TACT Switch Sidepush 雙動(dòng)式開(kāi)關(guān)

ALPS開(kāi)發(fā)出可實(shí)現(xiàn)手機(jī)搭載相機(jī)及數(shù)碼相機(jī)的自動(dòng)聚焦功能的TACT Switch Sidepush雙動(dòng)式“SKSE系列”，并于今年9月出廠樣品。

2008-08-22

SKSE 開(kāi)關(guān) SWITCH

南方芯源在西安成立研發(fā)中心西安芯派

2008年8月18日，Samwin公司投資發(fā)起設(shè)立的西安芯派科技有限公司正式成立，主要從事MOSFET全新溝通工藝，電源管理IC及射頻技術(shù)應(yīng)用三個(gè)方面的產(chǎn)品研發(fā)。該中心的成立將進(jìn)一步提高Samwin產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)度。

2008-08-20

西安芯派 Samwin MOSFET 南方芯源