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功率器件與模塊電源技術(shù)研討會(huì)現(xiàn)場(chǎng)圖文報(bào)道
功率器件與模塊電源研討會(huì)成功舉辦，會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)專家與觀眾熱烈互動(dòng)。
2009-09-01
功率器件與模塊電源研討會(huì) XCEF
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電容器市場(chǎng)與發(fā)展現(xiàn)狀
電容的市場(chǎng)與發(fā)展現(xiàn)狀
2009-08-31
西部電子論壇 XCEF 電磁兼容 電路保護(hù)
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電磁干擾與電磁兼容問(wèn)題集錦
電磁兼容與電路保護(hù)技術(shù)研討會(huì)問(wèn)答集錦
2009-08-31
西部電子論壇 XCEF 電磁兼容 電路保護(hù)
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飛兆半導(dǎo)體推出新一代超級(jí)結(jié)MOSFET-SupreMOS
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)SupreMOS?新一代600V超級(jí)結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品。
2009-08-28
MOSFET 飛兆 電源 照明 顯示 工業(yè)
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IR推出基準(zhǔn)工業(yè)級(jí)30V MOSFET
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認(rèn)證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動(dòng)工具、ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。
2009-08-27
IR 國(guó)際整流器 MOSFET 電源 逆變器
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高效節(jié)能技術(shù)應(yīng)對(duì)更嚴(yán)格電源能效規(guī)范要求
隨著人們節(jié)能環(huán)保意識(shí)的不斷增強(qiáng)，計(jì)算機(jī)、照明、消費(fèi)電子、電源適配器和家電等領(lǐng)域越來(lái)越多地出現(xiàn)了更嚴(yán)苛能效法規(guī)的限制。本文為你介紹高效的技能技術(shù)和解決方案
2009-08-27
電源能效 PFC NCP1652
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SiE876DF：Vishay導(dǎo)通電阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay宣布推出采用雙面冷卻、導(dǎo)通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封裝，在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻為6.1Ω，比市場(chǎng)上可供比較的最接近器件減小了13%。
2009-08-26
SiE876DF MOSFET Vishay
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正確選擇合適的熔絲
一般而言，電路保護(hù)器件通常在電路設(shè)計(jì)中扮演著最不起眼的角色：人們通常都是在完成設(shè)計(jì)之后才想起它們，而且對(duì)其瑣碎的電氣特征不勝其煩。然而，我們目前在電路設(shè)計(jì)的早期階段就必須開(kāi)始考慮電路設(shè)計(jì)與選擇合適的保護(hù)器件之間的關(guān)系，并且在整個(gè)設(shè)計(jì)過(guò)程中都要仔細(xì)處理這一問(wèn)題。
2009-08-25
熔絲 保險(xiǎn)絲
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中國(guó)電子展首入蓉城 西部電子借力起飛
中國(guó)電子展首度進(jìn)成都 ，中國(guó)（成都）電子展開(kāi)幕在即，企業(yè)參展的熱情仍是勢(shì)頭不減，已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)去年西安的規(guī)模，這種“火熱”與經(jīng)濟(jì)大環(huán)境相對(duì)的“冷”而言，形成了鮮明的對(duì)比。一方面是企業(yè)對(duì)西部電子信息行業(yè)環(huán)境、潛力的看好，另一方面也是企業(yè)拓展市場(chǎng)的積極表現(xiàn)
2009-08-24
成都 西部電子論壇 cef XCEF
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