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IGCT門極驅(qū)動(dòng)電路的原理分析
在目前的中電壓大功率應(yīng)用領(lǐng)域，占主導(dǎo)地位的功率半導(dǎo)體器件有晶閘管、GTO和IGBT等，這些傳統(tǒng)的功率器件在實(shí)用方面都存在一些缺陷。ABB半導(dǎo)體公司率先提出了一種新型功率半導(dǎo)體器件—IGCT。它的關(guān)鍵思想是將改進(jìn)結(jié)構(gòu)的GTO與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動(dòng)電路集成在一起，再與其門極驅(qū)動(dòng)器在外圍以低電感方式連接。在性能上明顯優(yōu)于目前廣泛使用的GTO和IGBT器件。著重對(duì)IGCT門極驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)和原理進(jìn)行了介紹和分析。
2008-10-14
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀(jì)末出現(xiàn)的一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)集于一身：輸入阻抗高，開(kāi)關(guān)頻率高，工作電流大等，在變頻器、開(kāi)關(guān)電源，弧焊電源等領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用。M57962L采用+15V、- 10V雙電源供電，由于采用- 10V關(guān)斷電壓，能更可靠關(guān)斷，同時(shí)具有封閉性軟關(guān)斷功能，從而使IGBT更加安全的工作。
2008-10-11
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汽車電子功率MOSFET
過(guò)去，選擇60V還是55V往往是最大的設(shè)計(jì)問(wèn)題之一，而經(jīng)過(guò)數(shù)年的發(fā)展，如今汽車內(nèi)部的功率器件和設(shè)計(jì)考慮事項(xiàng)在廣度方面已取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。隨著電子系統(tǒng)針對(duì)娛樂(lè)、儀表板、動(dòng)力傳動(dòng)控制、安全性、車廂和穩(wěn)定性控制以至車身及便利性控制等不斷發(fā)展，一般汽車中的功率器件數(shù)目已是數(shù)以百計(jì)，并且正在急劇增加之中。選擇正確的器件現(xiàn)已成為一項(xiàng)艱巨的挑戰(zhàn)，需面對(duì)許多不同的技術(shù)選項(xiàng)，以達(dá)致所需的性能和成本目標(biāo)。
2008-09-28
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中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
在中國(guó)中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場(chǎng)銷售額保持著較快的增長(zhǎng)，是中國(guó)功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。
2008-09-24
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電子元器件：終端市場(chǎng)未來(lái)價(jià)格壓力加大
半導(dǎo)體：08年上半年國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)收入增長(zhǎng)10.4％，增速創(chuàng)近5年來(lái)的新低，2007年全球分立式功率器件和模塊市場(chǎng)增長(zhǎng)9.3％，未來(lái)五年年均增長(zhǎng)8-9％。
2008-09-24
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電子元件技術(shù)網(wǎng)互動(dòng)精彩回放
本期《電子元件技術(shù)網(wǎng)互動(dòng)精彩回放》的內(nèi)容，是網(wǎng)友在線互動(dòng)的濃縮，其中有電路保護(hù)專家、電源模塊專家、功率器件專家的精彩解答，也有業(yè)內(nèi)資深工程師的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，同樣還有電子元件技術(shù)網(wǎng)CEO和各位分析師的話......
1970-01-01
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