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功率器件熱設(shè)計及散熱計算
本文主要探討電子設(shè)備熱失效的問題，通過對功率器件發(fā)熱原理的分析和散熱的計算，得出散熱方式的設(shè)計和散熱器的選擇。
2008-10-24
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IGBT 在不間斷電源中的應(yīng)用
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點、使用IGBT 成為UPS 功率設(shè)計的首選，只有對IGBT的特性充分了解和對電路進行可靠性設(shè)計，才能發(fā)揮IGBT 的優(yōu)點。本文介紹UPS 中的IGBT 的應(yīng)用情況和使用中的注意事項。
2008-10-16
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IGCT門極驅(qū)動電路的原理分析
在目前的中電壓大功率應(yīng)用領(lǐng)域，占主導地位的功率半導體器件有晶閘管、GTO和IGBT等，這些傳統(tǒng)的功率器件在實用方面都存在一些缺陷。ABB半導體公司率先提出了一種新型功率半導體器件—IGCT。它的關(guān)鍵思想是將改進結(jié)構(gòu)的GTO與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動電路集成在一起，再與其門極驅(qū)動器在外圍以低電感方式連接。在性能上明顯優(yōu)于目前廣泛使用的GTO和IGBT器件。著重對IGCT門極驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)和原理進行了介紹和分析。
2008-10-14
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IGBT驅(qū)動電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀末出現(xiàn)的一種復合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優(yōu)點集于一身：輸入阻抗高，開關(guān)頻率高，工作電流大等，在變頻器、開關(guān)電源，弧焊電源等領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用。M57962L采用+15V、- 10V雙電源供電，由于采用- 10V關(guān)斷電壓，能更可靠關(guān)斷，同時具有封閉性軟關(guān)斷功能，從而使IGBT更加安全的工作。
2008-10-11
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汽車電子功率MOSFET
過去，選擇60V還是55V往往是最大的設(shè)計問題之一，而經(jīng)過數(shù)年的發(fā)展，如今汽車內(nèi)部的功率器件和設(shè)計考慮事項在廣度方面已取得了長足的進步。隨著電子系統(tǒng)針對娛樂、儀表板、動力傳動控制、安全性、車廂和穩(wěn)定性控制以至車身及便利性控制等不斷發(fā)展，一般汽車中的功率器件數(shù)目已是數(shù)以百計，并且正在急劇增加之中。選擇正確的器件現(xiàn)已成為一項艱巨的挑戰(zhàn)，需面對許多不同的技術(shù)選項，以達致所需的性能和成本目標。
2008-09-28
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中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點
在中國中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場銷售額保持著較快的增長，是中國功率器件市場中的新興產(chǎn)品。
2008-09-24
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電子元器件：終端市場未來價格壓力加大
半導體：08年上半年國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)收入增長10.4％，增速創(chuàng)近5年來的新低，2007年全球分立式功率器件和模塊市場增長9.3％，未來五年年均增長8-9％。
2008-09-24
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電子元件技術(shù)網(wǎng)互動精彩回放
本期《電子元件技術(shù)網(wǎng)互動精彩回放》的內(nèi)容，是網(wǎng)友在線互動的濃縮，其中有電路保護專家、電源模塊專家、功率器件專家的精彩解答，也有業(yè)內(nèi)資深工程師的實踐經(jīng)驗，同樣還有電子元件技術(shù)網(wǎng)CEO和各位分析師的話......
1970-01-01
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