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IMEC等利用MEMS元件振動發(fā)電達85μW
比利時研究機構(gòu)IMEC、荷蘭研究機構(gòu)Holst Centre與TNO在“2009 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2009）”上宣布，聯(lián)合開發(fā)出了將振動能量轉(zhuǎn)換為電力的MEMS元件，并獲得了最大85μW的電力。此前IMEC開發(fā)出的MEMS元件中，最大電力為60μW。
2009-12-15
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SolarStrap：Suntrica公司推出太陽能充電器產(chǎn)品
來自北歐的Suntrica公司曾于11月份在亞洲移動通訊展上展示過一款太陽能充電器產(chǎn)品SolarStrap，近日這款產(chǎn)品已正式上市，售價為40美元。
2009-12-14
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聯(lián)電旗下頎邦并購飛信半導體 金額達12.7億元
據(jù)中國臺灣媒體報道稱，聯(lián)電旗下驅(qū)動IC封測廠頎邦日前宣布，換股合并仁寶關系企業(yè)飛信半導體，以1.8股飛信換1股頎邦，交易金額約當60億元新臺幣（約12.7億元人民幣），頎邦為存續(xù)公司。
2009-12-14
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Orbeos：歐司朗光電半導體推出首款有機發(fā)光顯示光源
歐司朗光電半導體 (OSRAM Opto Semiconductors) 宣布,該公司將向市場推出首款有機發(fā)光顯示光源 Orbeos它是功能強大的照明工具,具有輕薄無眩暈感的暖白色光源。
2009-12-10
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QorIQ P1012/P1021：飛思卡爾推出通信處理器
飛思卡爾半導體推出第一款基于其QorIQ 通信平臺，并且融入 QUICC Engine多協(xié)議技術(shù)的處理器。QorIQ P1012/P1021 產(chǎn)品系列為使用傳統(tǒng)多協(xié)議接口的客戶提供了向全IP環(huán)境遷移的高性能、低功耗路徑。
2009-12-10
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FAN6754：飛兆半導體推出提升輕負載效率的PWM控制器
關注全球節(jié)能的領導廠商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出一系列脈寬調(diào)制(PWM)控制器，新產(chǎn)品可讓筆記本電腦電源的設計人員滿足嚴苛的國際節(jié)能規(guī)范要求，包括強制要求工作模式下最低平均效率達到87%的能源之星(ENERGY STAR)外部電源(External Power Supply, EPS) 2.0版規(guī)范。
2009-12-09
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AMIS-30532/AMIS-30542：安森美推出兩款微型集成驅(qū)動IC
全球首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出兩款新的高集成度集成電路(IC)，令步進電機應用中以更少的元器件和更小的電路板空間驅(qū)動大電流電機。新的AMIS-30532及AMIS-30542微步步進電機驅(qū)動器擁有大電流能力，帶集成H橋，非常適用于汽車、工業(yè)、辦公設備、醫(yī)療及船舶應用中的運動控制。
2009-12-09
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NJM2841：新日本無線上市輸出電壓僅為0.8V的低飽和型穩(wěn)壓器
新日本無線針對微處理器、DSP及ASIC等數(shù)字IC用電源，上市了輸出電壓僅為0.8V的低飽和型穩(wěn)壓器“NJM2841”。輸出電流最大為500mA。
2009-12-04
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productronica：領導世界電子生產(chǎn)制造展會
productronica：領導世界電子生產(chǎn)制造展會
2009-12-04
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三星否認欲購并英飛凌
全球最大存儲器制造商三星電子(Samsung Electronics)發(fā)言人James Chung表示，三星無意購并英飛凌(Infineon)，市場上流傳的購并傳聞并不屬實；此外，英飛凌表示不愿針對市場臆測發(fā)表評論。
2009-12-01
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安森美半導體推出高能效LED照明應用GreenPoint?參考設計
2009年11月25日 –應用于綠色電子產(chǎn)品的全球領先高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出兩款新的GreenPoint?參考設計，加速及簡化高能效發(fā)光二極管(LED)照明應用的開發(fā)。
2009-12-01
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Stack與NICT共同開發(fā)出新型電場探測器 可準確測量出微小電場
日本Stack電子開發(fā)出了可準確測量微小電場分布狀態(tài)的光外差法光電效應電場探測器“LEO-Probe”。該產(chǎn)品采用日本信息通信研究機構(gòu)（NICT）轉(zhuǎn)讓的技術(shù)開發(fā)，適用于電子設備的EMC測量、天線附近的電場測量、開發(fā)高頻電路時的驗證作業(yè)、高速/高密度電路的放射電場測量以及超高速半導體的運行狀態(tài)分析等。
2009-11-27
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術(shù)博弈
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