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1200V,1700V,2000V......高性能碳化硅器件如何應(yīng)對持續(xù)挑戰(zhàn)?
SiC 等寬禁帶 (WBG) 器件對于當(dāng)今汽車和可再生能源等應(yīng)用至關(guān)重要。隨著我們的世界逐漸轉(zhuǎn)向使用可持續(xù)能源(主要是電力),能效比以往任何時(shí)候都更重要。提高開關(guān)模式能效的方法之一是降低銅損和開關(guān)損耗。然而,為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn),直流母線電壓不斷上升,半導(dǎo)體技術(shù)必須發(fā)展以跟上步伐。這些技術(shù)對企業(yè)實(shí)現(xiàn)碳減排承諾至關(guān)重要。在本文中,安森美(onsemi)將探討下一代 SiC 器件如何演進(jìn)以應(yīng)對最新應(yīng)用的挑戰(zhàn),本文還將闡釋穩(wěn)健的端到端供應(yīng)鏈對于確保持續(xù)成功的重要性。
2023-08-03
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硅麥音頻放大電路
昨天討論并測試了對于英飛凌的模擬接口硅麥的放大電路,?并利用LTspice進(jìn)行了仿真測試,?可以看到它能夠比較好的滿足對硅麥音頻放大的需要。? 但昨天博文中的電路有兩點(diǎn)缺陷,??一個(gè)就是當(dāng)放大信號比較大的時(shí)候,單管放大電路會(huì)出現(xiàn)比較大的失真。?第二個(gè)就是昨天給出的電路圖中存在一個(gè)小的BUG,?當(dāng)時(shí)這個(gè)R1忘記在電路圖中給繪制出來,?但在后面的仿真電路中是標(biāo)明的。
2023-08-02
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數(shù)字控制器補(bǔ)償模擬控制器
用于電源控制的新興數(shù)字 IC 缺乏模擬 IC 中常見的基本功能,例如內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)和電流限制。數(shù)字電源控制器通常僅具有 PWM(脈寬調(diào)制)邏輯輸出,并且分立柵極驅(qū)動(dòng)器很少包含電流限制。此外,大多數(shù)受保護(hù)的 FET 僅在低頻、低側(cè)應(yīng)用中工作。
2023-08-02
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毫米波雷達(dá)半精度浮點(diǎn)存儲(chǔ)格式分析
雷達(dá)信號處理需要使用大量內(nèi)存進(jìn)行中間結(jié)果和最終結(jié)果的保存,而內(nèi)存大小直接影響處理芯片的成本。選擇合適的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)格式,既保留較高的信號分辨率和動(dòng)態(tài)范圍,又不占用太大的存儲(chǔ)空間是相當(dāng)重要的。本文介紹了TC3xx單片機(jī)雷達(dá)信號處理單元SPU支持的半精度浮點(diǎn)格式,將其和32bit整型數(shù)格式進(jìn)行比較,分析了兩者的動(dòng)態(tài)范圍及實(shí)際處理誤差,發(fā)現(xiàn)半精度浮點(diǎn)格式是“性價(jià)比”較高的存儲(chǔ)方式。另外,Tricore? CPU還有專用硬件指令支持半精度和單精度浮點(diǎn)格式的相互轉(zhuǎn)換,便于信號的后期處理,并縮短數(shù)據(jù)格式轉(zhuǎn)換時(shí)間。
2023-08-01
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貿(mào)澤電子新品推薦:2023年第二季度推出近30,000個(gè)新物料
2023年7月20日 – 業(yè)界知名的全球授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics),專注于快速引進(jìn)新產(chǎn)品與技術(shù),幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品,并加快產(chǎn)品上市速度,實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)鏈到供應(yīng)鏈?的全程優(yōu)勢。貿(mào)澤受到1,200多家半導(dǎo)體和電子元件制造商的信任,幫助他們將產(chǎn)品分銷到全球市場。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品,并提供全方位的制造商可追溯性。
2023-08-01
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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級到 800V 電池架構(gòu)
自電動(dòng)汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來,電動(dòng)汽車制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長行駛里程,電動(dòng)汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而,電池越大,意味著充電的時(shí)間就越長。
2023-07-28
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電源設(shè)計(jì)更快更好,高效能圖騰柱PFC應(yīng)用須知
現(xiàn)今電源供應(yīng)器市場為因應(yīng)全球減碳活動(dòng),已經(jīng)將效能目標(biāo)設(shè)定為更高效率、減少損失、節(jié)省能源、降低成本、提高系統(tǒng)容量為主。安森美(onsemi)提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結(jié)合全橋整流器之PFC IC NCP1680/1681設(shè)計(jì)方案,相較傳統(tǒng)PFC之轉(zhuǎn)換效率可以提升3%~4%,符合未來電源供應(yīng)器之節(jié)省能源,降低成本,提高系統(tǒng)容量之訴求。加上NCP1680/1681快速的負(fù)載暫態(tài)補(bǔ)償響應(yīng),以及高規(guī)格安規(guī)等級各式保護(hù)功能,特別是具有PFC-OK訊號供應(yīng)后級電源時(shí)序控制,NCP1680/1681應(yīng)用達(dá)到高效率,高功率因子,以及高穩(wěn)定性PFC應(yīng)用。
2023-07-28
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介紹一款適用于汽車和工業(yè)場合的高效同步SEPIC控制器
LT8711是一款直流-直流控制器,支持同步降壓、升壓、SEPIC、ZETA和非同步降壓-升壓等拓?fù)?。ADI有多款同步降壓、升壓變換器和控制器,但支持同步SEPIC拓?fù)涞牟⒉欢?。SEPIC拓?fù)淦鋵?shí)非常實(shí)用,因?yàn)闊o論輸入電壓遠(yuǎn)低于或遠(yuǎn)高于輸出電壓,它都能提供穩(wěn)定的電平輸出。
2023-07-27
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器使用指南
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決,并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異,以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對它的影響,作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分,還將提供 NCP51705(用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器)的使用指南。本文為第三部分,將重點(diǎn)介紹NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的使用指南。
2023-07-26
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全集成汽車USB Type-A和USB Type-C充電器控制芯片
汽車中控系統(tǒng)通常都會(huì)提供一個(gè) USB 充電端口,該端口需要在傳輸數(shù)據(jù)的同時(shí)為移動(dòng)設(shè)備充電。對這些系統(tǒng)而言,選擇帶 USB 限流開關(guān)的汽車級 IC 非常重要。本文將介紹 MPS 的 USB 充電端口降壓變換器 MPQ4228-C-AEC1,以及如何將其高效率的優(yōu)勢應(yīng)用于 USB 集線器和其他 USB Type-C 、USB Type-A 應(yīng)用中。
2023-07-25
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如何從正電壓電源獲得負(fù)電壓,正電壓轉(zhuǎn)負(fù)電壓的方法圖解
該電路圖顯示了如何從正電壓電源獲得負(fù)電壓。該電路的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是,負(fù)電壓與原始正電源一起可用于模擬雙電源。該電路基于定時(shí)器ICNE555。NE555作為非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器接線,工作頻率約為1KHz。方波輸出(如果位于IC的引腳3處)。
2023-07-25
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借助更多的選項(xiàng)響應(yīng)正反饋
負(fù)反饋什么時(shí)候會(huì)變成正反饋?當(dāng)控制工程師想要實(shí)現(xiàn)不錯(cuò)的增益和相位裕度時(shí)。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設(shè)計(jì)人員提供理想性能和多種器件選擇,同時(shí)支持更高的設(shè)計(jì)靈活性,從而實(shí)現(xiàn)成本效益最優(yōu)的功率設(shè)計(jì)。
2023-07-24
- 灣芯展2025預(yù)登記啟動(dòng)!10月深圳共襄半導(dǎo)體盛宴
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