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SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨(dú)使用外，還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。
2022-02-11
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理想開關(guān)自身會帶來挑戰(zhàn)
隨著我們的產(chǎn)品接近邊沿速率超快的理想半導(dǎo)體開關(guān)，電壓過沖和振鈴開始成為問題。適用于SiC FET的簡單RC緩沖電路可以解決這些問題，并帶來更高的效率增益。
2022-02-10
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派恩杰SiC驅(qū)動設(shè)計(jì)新探索：如何避免誤開通？
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降，SiC MOSFET憑借整體性能優(yōu)于硅基器件一個(gè)數(shù)量級的優(yōu)勢正逐漸普及，獲得越來越多的工程應(yīng)用。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導(dǎo)通電阻，更快的開關(guān)速度，使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化，因此廣泛適用于5G數(shù)據(jù)中心通信電源，新能源汽車車載充電機(jī)，電機(jī)驅(qū)動器，工業(yè)電源，直流充電樁，光伏，UPS等各類能源變換系統(tǒng)中。
2022-02-10
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SiC功率器件使用過程中的常見問題集（上）
由于SiC 材料具有更高的擊穿場強(qiáng)、更好的熱穩(wěn)定性、更高的電子飽和速度及禁帶寬度，因此能夠大大提高功率器件的性能表現(xiàn)。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC 器件具有更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。當(dāng)前碳化硅功率器件主要在新能源汽車的車載充電機(jī)、充電樁、計(jì)算機(jī)電源、風(fēng)電逆變器、光伏逆變器、大型服務(wù)器電源、空調(diào)變頻器等領(lǐng)域，根據(jù)Yole估計(jì)，未來市場將有每年30% 左右的高速增長。為此，派恩杰推出1700V,1200V,650V各種電壓等級SiC MOSFET以應(yīng)對市場需求。在從硅器件到碳化硅器件使用轉(zhuǎn)變過程中，客戶常常會遇到一些疑問或者使用問題，為此，派恩杰針對客戶的問題進(jìn)行歸納總結(jié)并分享一些解決辦法。
2022-02-09
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將ICT和FCT優(yōu)勢結(jié)合在單個(gè)測試適配器中
一般以針床來測試不上電的電路板，使用直接數(shù)字合成（DDS）和離散傅立葉變換（DFT）等技術(shù)生成刺激信號進(jìn)行模擬測量分析，以此讓在線測試儀（ICA）測量電感、電容、阻抗和電阻等實(shí)際數(shù)據(jù)，以便確認(rèn)所有被測器件（DUT）測試節(jié)點(diǎn)的結(jié)果在公差范圍內(nèi)，以及是否有開路、短路、錯(cuò)件或極性接反的問題。這些都在不上電的情況下進(jìn)行測量。繼電器多路復(fù)用器可以用來連接探針觸點(diǎn)和電路板的模擬通道或數(shù)字驅(qū)動器/傳感器（D/S）（圖1）。
2022-02-09
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適用于電流模式DC-DC轉(zhuǎn)換器的統(tǒng)一的LTspice AC模型
當(dāng)電源設(shè)計(jì)人員想要大致了解電源的反饋環(huán)路時(shí)，他們會利用環(huán)路增益和相位波特圖。知道環(huán)路響應(yīng)可進(jìn)行預(yù)測有助于縮小反饋環(huán)路補(bǔ)償元件的選擇范圍。
2022-02-09
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針對SiC串?dāng)_抑制方法的測試報(bào)告
近年來，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因其具有高開關(guān)頻率、高開關(guān)速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關(guān)速度加快，橋式電路受寄生參數(shù)影響加劇，串?dāng)_現(xiàn)象更加嚴(yán)重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負(fù)向安全電壓較小，串?dāng)_問題引起的正負(fù)向電壓尖峰更容易造成開關(guān)管誤導(dǎo)通或柵源極擊穿，進(jìn)而增加開關(guān)損耗，嚴(yán)重時(shí)損壞開關(guān)管，因此合適的串?dāng)_抑制方法對提高變換器工作可靠性、提升其功率密度具有重要意義。
2022-02-08
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如何仿真轉(zhuǎn)換器的數(shù)字輸入／輸出
對于SAR-ADC的仿真比較復(fù)雜。目前來看，還沒有準(zhǔn)確模擬整個(gè)器件的完整轉(zhuǎn)換器模型?，F(xiàn)有資源是一個(gè)仿真模擬輸入引腳穩(wěn)定性的模擬SPICE文件。有了它，用戶就有了一款強(qiáng)大工具，使用戶能夠解決其中一個(gè)最關(guān)鍵、最棘手的轉(zhuǎn)換器問題。
2022-02-08
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用于信號和數(shù)據(jù)處理電路的低噪聲、高電流、緊湊型DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案
現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)、片上系統(tǒng)(SoC)和微處理器等數(shù)據(jù)處理IC不斷擴(kuò)大在電信、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、汽車、航空電子和國防系統(tǒng)領(lǐng)域的應(yīng)用。這些系統(tǒng)的一個(gè)共同點(diǎn)是處理能力不斷提高，導(dǎo)致原始功率需求相應(yīng)增加。設(shè)計(jì)人員很清楚高功率處理器的熱管理問題，但可能不會考慮電源的熱管理問題。與晶體管封裝處理器本身類似，當(dāng)?shù)蛢?nèi)核電壓需要高電流時(shí)，熱問題在最差情況下不可避免——這是所有數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的總體電源趨勢。
2022-01-30
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開發(fā)基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁：方案概述
在本系列文章的第一部分中，[1]我們介紹了電動車快速充電器的主要系統(tǒng)要求，概述了這種充電器開發(fā)過程的關(guān)鍵級，并了解到安森美(onsemi)的應(yīng)用工程師團(tuán)隊(duì)正在開發(fā)所述的充電器?，F(xiàn)在，在第二部分中，我們將更深入研究設(shè)計(jì)的要點(diǎn)，并介紹更多細(xì)節(jié)。特別是，我們將回顧可能的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，探討其優(yōu)點(diǎn)和權(quán)衡，并了解系統(tǒng)的骨干，包括一個(gè)半橋SiC MOSFET模塊。
2022-01-28
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如何充分發(fā)揮碳化硅耐高溫的優(yōu)勢？
隨著碳化硅(SiC)技術(shù)的發(fā)展，器件也在日趨成熟和商業(yè)化，其材料獨(dú)特的耐高溫性能正在加速推動結(jié)溫從150℃走向175℃，有的公司稱，現(xiàn)在已開始研發(fā)200℃結(jié)溫的碳化硅器件。
2022-01-28
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在當(dāng)今高壓半導(dǎo)體器件上執(zhí)行擊穿電壓和漏流測量
在經(jīng)過多年研究和設(shè)計(jì)之后，碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來越實(shí)用。這些器件盡管性能很高，但它們也帶來了許多挑戰(zhàn)，包括柵極驅(qū)動要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多，在負(fù)偏置電壓時(shí)會關(guān)閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多，要求嚴(yán)格的柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)。寬帶隙(WBG)器件由于物理特點(diǎn)，機(jī)身二極管壓降較高，因此對空轉(zhuǎn)時(shí)間和打開/關(guān)閉跳變的控制要求要更嚴(yán)格。
2022-01-27
- 灣芯展2025預(yù)登記啟動！10月深圳共襄半導(dǎo)體盛宴
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