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如何構(gòu)建功能安全的小型48V、30kW MHEV電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
減少溫室氣體(GHG)排放的全球性舉措推動(dòng)了汽車(chē)的發(fā)展，要求汽車(chē)制造商提高新車(chē)動(dòng)力總成的電氣化水平。輕混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)(MHEV)采用48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)來(lái)幫助減少內(nèi)燃機(jī)(ICE) 的GHG排放，已成為實(shí)現(xiàn)合規(guī)性的極具吸引力的選擇，因?yàn)檫@種汽車(chē)的實(shí)現(xiàn)成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于全混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)。本白皮書(shū)介紹如何使用DRV3255-Q1 48V BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在 MHEV 中實(shí)現(xiàn)汽車(chē)安全完整性等級(jí)D(ASIL D) 功能安全，同時(shí)提供高達(dá) 30kW 的電機(jī)功率和高集成度以幫助減小布板空間。
2022-01-25
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貿(mào)澤電子備貨豐富多樣的Murata產(chǎn)品
Murata是陶瓷無(wú)源電子元件、無(wú)線連接模塊和電源轉(zhuǎn)換技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球先鋒。貿(mào)澤電子作為其全球授權(quán)分銷商，庫(kù)存有來(lái)自Murata Electronics、Murata Power Solutions及Murata IPDiA的19,000多種產(chǎn)品，并且還在不斷引入新的解決方案。
2022-01-21
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貿(mào)澤電子內(nèi)容中心推出機(jī)器人專題，一站提供各類豐富資源及前沿產(chǎn)品
2022年1月20日 – 專注于引入新品并提供海量庫(kù)存?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 在貿(mào)澤內(nèi)容中心開(kāi)辟了機(jī)器人專題，為工程師提供廣泛而深入的專業(yè)知識(shí)和內(nèi)容，幫助其加快機(jī)器人設(shè)計(jì)速度。此專題包含一系列文章、博客、圖表和精選產(chǎn)品，重點(diǎn)介紹全球知名制造商的特色產(chǎn)品，以及如何將其解決方案合理實(shí)現(xiàn)到機(jī)器人應(yīng)用和機(jī)器人過(guò)程自動(dòng)化 (RPA) 解決方案中。要開(kāi)始探索貿(mào)澤內(nèi)容中心的機(jī)器人專題，請(qǐng)從導(dǎo)航菜單中選擇Applications（應(yīng)用）中的Industrial（工業(yè)）板塊，并進(jìn)入Robotics（機(jī)器人）專題；或者也可直接點(diǎn)擊https://resources.mouser.com/robotics。
2022-01-20
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如何加快設(shè)計(jì)和調(diào)試速度？具有突破性、可擴(kuò)展、直觀易用的上電時(shí)序系統(tǒng)是關(guān)鍵！
各行各業(yè)的電子系統(tǒng)都變得越來(lái)越復(fù)雜，這已經(jīng)不是什么秘密。至于這種復(fù)雜性如何滲透到電源設(shè)計(jì)中，卻不是那么明顯。例如，功能復(fù)雜性一般通過(guò)使用ASIC、FPGA和微處理器來(lái)解決，在更小的外形尺寸中融入更豐富的應(yīng)用特性。
2022-01-20
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橋式電路的開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開(kāi)關(guān)動(dòng)作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會(huì)產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
2022-01-19
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低邊開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作
上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開(kāi)關(guān)工作帶來(lái)的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作情況。
2022-01-19
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貿(mào)澤電子2021年新增110家制造商合作伙伴產(chǎn)品分銷陣容再升級(jí)
2022年1月18日 – 專注于引入新品并提供海量庫(kù)存?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布2021年新增供應(yīng)商數(shù)再創(chuàng)記錄，達(dá)到了113家，產(chǎn)品分銷陣容進(jìn)一步擴(kuò)大，為廣大設(shè)計(jì)工程師與采購(gòu)人員提供了更加多元化的選擇。貿(mào)澤為客戶提供各類先進(jìn)的技術(shù)，以幫助設(shè)計(jì)人員避免代價(jià)高昂的重新設(shè)計(jì)、生產(chǎn)延誤甚至項(xiàng)目終止。
2022-01-18
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為什么貼片的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器模塊能提高設(shè)計(jì)工程師的工作效率
制造商不愿意將錢(qián)花在現(xiàn)成的模塊上，而是參考控制IC的應(yīng)用電路，使用分立器件搭建一個(gè)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器安裝在電路板上。這種方法在理論上是有效的，但實(shí)際上卻存在一些問(wèn)題。
2022-01-18
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ScaleFlux為高性能數(shù)據(jù)庫(kù)提供超密集的計(jì)算存儲(chǔ)解決方案
作為大規(guī)模部署計(jì)算存儲(chǔ)的領(lǐng)導(dǎo)者，ScaleFlux于近日宣布其旗艦CSD 2000解決方案與Supermicro的FatTwin?（一種高密度4U多節(jié)點(diǎn)系統(tǒng)）相契合——提供了一個(gè)完全集成的高性能、經(jīng)濟(jì)高效的平臺(tái)，非常適合部署Redis on Flash (RoF)。
2022-01-17
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SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？
自舉式懸浮驅(qū)動(dòng)電路可以極大的簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)，只需要一路電源就可以驅(qū)動(dòng)上下橋臂兩個(gè)開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)，可以節(jié)省Si MOSFET功率器件方案的成本。隨著新能源受到全球政府的推動(dòng)與支持，與新能源相關(guān)的半導(dǎo)體芯片需求激増，導(dǎo)致產(chǎn)能緊缺。綠色低碳技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用是實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)的重要一環(huán)，碳化硅是應(yīng)用于綠色低碳領(lǐng)域的共用性技術(shù)，SiC MOSFET替代Si MOSEFET成為了許多廠商的新選擇。不過(guò)，SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si MOSFET到底有什么區(qū)別，替代時(shí)電路設(shè)計(jì)如何調(diào)整，是工程師非常關(guān)心的。我們《SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現(xiàn)負(fù)壓？》一文中已經(jīng)分享了負(fù)壓自舉的小技巧。本文SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)常規(guī)自舉電路的注意事項(xiàng)。
2022-01-17
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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2022-01-17
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SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對(duì)Gate-Source電壓（VGS）帶來(lái)的影響時(shí),需要在包括SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路的寄生分量在內(nèi)的等效電路基礎(chǔ)上進(jìn)行考量。
2022-01-17
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