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使用鉭電容器的引爆系統(tǒng)與傳統(tǒng)雷管對(duì)比有何優(yōu)勢(shì)？
與任何電子設(shè)備一樣，引爆系統(tǒng)需要內(nèi)部電源為系統(tǒng)控制器 (MCU) 供電并為點(diǎn)火電容充電。為了確保正確定時(shí)、可靠引爆，需要使用電容器作引爆元件的儲(chǔ)能器件。與其他電容技術(shù)相比，模塑鉭 (MnO2) 電容器能夠儲(chǔ)存電荷（低漏電流)，能量密度高，是電子引爆系統(tǒng)的理想選擇，可留出更多時(shí)間，釋放更大電壓...
2023-11-13
鉭電容器 引爆系統(tǒng) 優(yōu)點(diǎn)
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『這個(gè)知識(shí)不太冷』探索5G射頻技術(shù)（上）
『這個(gè)知識(shí)不太冷』系列，旨在幫助小伙伴們喚醒知識(shí)的記憶，將挑選一部分Qorvo劃重點(diǎn)的知識(shí)點(diǎn)，結(jié)合產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀解讀，以此溫故知新、查漏補(bǔ)缺。接下來(lái)，我們談一談5G射頻。
2023-11-12
5G 射頻技術(shù)
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專(zhuān)用 DC／DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)對(duì)鐵路供電的獨(dú)特挑戰(zhàn)
現(xiàn)代鐵路系統(tǒng)中的車(chē)載電子設(shè)備越來(lái)越多，例如乘客互聯(lián)網(wǎng)接入點(diǎn)、衛(wèi)星鏈路、對(duì)講機(jī)和公共廣播 (PA) 系統(tǒng)、導(dǎo)航子系統(tǒng)、應(yīng)急無(wú)線電設(shè)備、告示牌、LED 照明系統(tǒng)、信息系統(tǒng)、座椅充電插座和其他配件。另外還有電池充電子系統(tǒng)，因?yàn)樵谒矔r(shí)斷電或長(zhǎng)時(shí)間斷電時(shí)，很多功能還需要供電。所有這些功能都有獨(dú)特...
2023-11-12
DC／DC 轉(zhuǎn)換器 鐵路供電
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讓電動(dòng)汽車(chē)延長(zhǎng)5%里程的SiC主驅(qū)逆變器
本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 將電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程延長(zhǎng)多達(dá) 5%。另外，文中還討論了為什么一些原始設(shè)備制造商 (OEM) 不愿意從硅基絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 過(guò)渡到 SiC 器件，以及安森美 (onsemi) 為緩解 OEM 的擔(dān)憂同時(shí)提升 OEM 對(duì)這種成...
2023-11-12
SiC 逆變器 電動(dòng)汽車(chē)
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能實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊
隨著全球?qū)稍偕茉吹娜找骊P(guān)注以及對(duì)效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia（安世半導(dǎo)體）的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求的高溫短路耐受能力，實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。
2023-11-12
IGBT模塊 馬達(dá)驅(qū)動(dòng) 應(yīng)用
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專(zhuān)為智能汽車(chē)車(chē)身域打造的直流有刷柵極驅(qū)動(dòng)IC
TMI8721-Q1是一顆驅(qū)動(dòng)外部4個(gè)N溝通MOSFET的單通道全橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片。優(yōu)秀的驅(qū)動(dòng)能力，使其可驅(qū)動(dòng)大部分MOSFET，特別適用于汽車(chē)座椅自動(dòng)調(diào)節(jié)，后尾門(mén)撐桿，玻璃升降、天窗、遮陽(yáng)簾、門(mén)窗、方向盤(pán)調(diào)節(jié)、側(cè)滑門(mén)、電動(dòng)踏板等電流偏大的場(chǎng)合。
2023-11-12
智能汽車(chē) 車(chē)身域 柵極驅(qū)動(dòng)
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。開(kāi)關(guān)超過(guò) 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓...
2023-11-12
SiC MOSFET 器件特性
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