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技術文章

可編程輸入倍頻法如何減少整數(shù)邊界雜散

您曾設計過具有分數(shù)頻率合成器的鎖相環(huán)（PLL）嗎？這種合成器在整數(shù)通道上看起來很棒，但在只稍微偏離這些整數(shù)通道的頻率點上雜散就會變得高很多，是吧？如果是這樣的話，您就已經(jīng)遇到過整數(shù)邊界雜散現(xiàn)象了 —— 該現(xiàn)象發(fā)生在載波的偏移距離等于到最近整數(shù)通道的距離時。

2022-02-08

可編程輸入倍頻法整數(shù)邊界雜散

如何利用TI Designs來驗證和加快設計過程

如果處理器和現(xiàn)場可編程門陣列FPGA全部由同樣的電壓供電運行，并且不需要排序和控制等特殊功能的話，會不會變的很簡單呢？不幸的是，大多數(shù)處理器和FPGA需要不同的電源電壓，啟動/關斷序列和不同類型的控制。

2022-02-08

TI Designs 處理器現(xiàn)場可編程門陣列FPGA

如何仿真轉換器的數(shù)字輸入／輸出

對于SAR-ADC的仿真比較復雜。目前來看，還沒有準確模擬整個器件的完整轉換器模型?，F(xiàn)有資源是一個仿真模擬輸入引腳穩(wěn)定性的模擬SPICE文件。有了它，用戶就有了一款強大工具，使用戶能夠解決其中一個最關鍵、最棘手的轉換器問題。

2022-02-08

仿真轉換器數(shù)字輸入／輸出

關于相控陣三種波束成型架構的那些事兒~

本文對模擬、數(shù)字和混合波束成型架構的能效比進行了比較，并針對接收相控陣開發(fā)了這三種架構的功耗的詳細方程模型。該模型清楚說明了各種器件對總功耗的貢獻，以及功耗如何隨陣列的各種參數(shù)而變化。對不同陣列架構的功耗/波束帶寬積的比較表明，對于具有大量元件的毫米波相控陣，混合方法具有優(yōu)勢。

2022-02-08

相控陣波束成型架構

淺談5G小基站中時鐘及無源射頻器件的應用

5G的高速率、低延時、海量連接已被大家熟知，5G將萬物互聯(lián)，實現(xiàn)AR交互、自動駕駛、智慧城市等應用場景是人們期盼已久的愿望。

2022-02-08

5G小基站無源射頻器件應用

基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解

追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上...

2022-02-08

基本半導體碳化硅肖特基二極管

針對SiC串擾抑制方法的測試報告

近年來，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導體器件因其具有高開關頻率、高開關速度、高熱導率等優(yōu)點，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關速度加快，橋式電路受寄生參數(shù)影響加劇，串擾現(xiàn)象更加嚴重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負向安全電壓較小，串擾問...

2022-02-08

SiCMOSFET 串擾抑制