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貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書(shū)
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書(shū),探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢(shì),以及發(fā)揮這些優(yōu)勢(shì)所面臨的挑戰(zhàn)。
2024-12-03
貿(mào)澤電子 Analog Devices Bourns 電子書(shū)
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英飛凌AURIX TC3x新增支持FreeRTOS
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的AURIX? TC3x微控制器(MCU)系列新增了對(duì)FreeRTOS的支持。
2024-12-03
英飛凌
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借助支持邊緣 AI 的 MCU 優(yōu)化實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)中的系統(tǒng)故障檢測(cè)
本文中將討論集成式微控制器 (MCU) 如何增強(qiáng)高壓實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)中的故障檢測(cè)功能。此類(lèi) MCU 使用集成神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元 (NPU) 運(yùn)行卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) (CNN) 模型,幫助在監(jiān)測(cè)系統(tǒng)故障時(shí)降低延遲和功耗。通過(guò)將邊緣 AI 功能集成到用于管理實(shí)時(shí)控制的同一 MCU 中,可以幫助您優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì),同時(shí)增強(qiáng)整體性能。
2024-12-02
邊緣 AI MCU 實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)
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第10講:SiC的加工工藝(2)柵極絕緣層
SiC可以通過(guò)與Si類(lèi)似的熱氧化過(guò)程,在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢(shì)。在平面柵SiC MOSFET中,這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜,并已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。然而,SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異,在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時(shí)必須考慮到這一點(diǎn)。
2024-12-02
SiC 柵極絕緣層
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貿(mào)澤推出RISC-V技術(shù)資源中心 探索開(kāi)源的未來(lái)
貿(mào)澤電子推出內(nèi)容豐富的RISC-V資源中心,為設(shè)計(jì)工程師提供新技術(shù)和新應(yīng)用的相關(guān)知識(shí)。隨著開(kāi)源架構(gòu)日益普及,RISC-V從眾多選項(xiàng)中脫穎而出,成為開(kāi)發(fā)未來(lái)先進(jìn)軟硬件的新途徑。從智能手機(jī)和IoT設(shè)備,再到高性能計(jì)算,RISC-V正在各行各業(yè)中發(fā)展成為更主流的指令集架構(gòu) (ISA)。
2024-12-02
貿(mào)澤 RISC-V技術(shù)
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迎機(jī)遇、創(chuàng)發(fā)展,廣州國(guó)際汽車(chē)電子&功率半導(dǎo)體技術(shù)盛會(huì),邀您共精彩!
3.1.jpg 2025年11月20-22日,第十二屆廣州國(guó)際汽車(chē)電子技術(shù)展覽會(huì),將于廣州保利世貿(mào)博覽館盛大舉辦!
2024-11-29
AUTO TECH China
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英飛凌推出集成I2t線路保護(hù)功能的PROFET Wire Guard,通過(guò)eFuses實(shí)現(xiàn)可靠配電
現(xiàn)代分散式分區(qū)配電架構(gòu)需要可靠的解決方案。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)通過(guò) PROFET? Wire Guard為開(kāi)發(fā)人員提供先進(jìn)的現(xiàn)代配電線路保護(hù)。
2024-11-29
英飛凌
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意法半導(dǎo)體比較器具有故障安全和啟動(dòng)時(shí)間保障,提高可靠性,節(jié)省電能
意法半導(dǎo)體的TS3121和TS3121A軌對(duì)軌、開(kāi)漏、單通道比較器具有創(chuàng)新的故障安全架構(gòu)和啟動(dòng)時(shí)間保障,可以簡(jiǎn)化短時(shí)間啟動(dòng)過(guò)程,在低功率應(yīng)用中最大限度地降低功耗。
2024-11-28
意法半導(dǎo)體 比較器
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貿(mào)澤電子深入探討以人為本的工業(yè)5.0新變革
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布新一期Empowering Innovation Together (EIT) 技術(shù)系列,重點(diǎn)介紹新興的工業(yè)5.0格局。在這個(gè)工業(yè)化的新階段,人類(lèi)、環(huán)境和社會(huì)等因素都將作為重要的方面,體現(xiàn)在未來(lái)工廠車(chē)間的先進(jìn)技術(shù)、機(jī)器人和智能機(jī)器中。
2024-11-28
貿(mào)澤電子 工業(yè)5.0
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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