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介質(zhì)電容選型全攻略：從原理到原廠成本深度解析
介質(zhì)電容作為電子系統(tǒng)的“能量調(diào)節(jié)器”，通過電介質(zhì)極化實現(xiàn)電荷存儲與釋放，其性能直接決定電路效率與可靠性。2024年清華大學(xué)突破性高熵設(shè)計將MLCC能量密度推至20.8J/cm3，西安交大更實現(xiàn)400℃高溫穩(wěn)定工作。本文將解析介質(zhì)電容技術(shù)演進、選型策略及全球產(chǎn)業(yè)競爭格局，為高可靠系統(tǒng)設(shè)計提供關(guān)鍵參考。
2025-05-30
介質(zhì)電容
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秒發(fā)3.5萬現(xiàn)貨！貿(mào)澤和Molex強強聯(lián)手：18萬種連接方案
貿(mào)澤電子作為Molex全球授權(quán)代理商，獨家供應(yīng)超18萬種連接器解決方案，其中35,000庫存產(chǎn)品支持即日發(fā)貨。覆蓋通信、數(shù)據(jù)中心、交通、醫(yī)療和工業(yè)設(shè)備等高需求領(lǐng)域，為工程師提供從設(shè)計選型到量產(chǎn)交付的一站式連接器資源庫。
2025-05-29
貿(mào)澤 Molex 連接 通信 數(shù)據(jù)中心 交通 醫(yī)療 工業(yè)
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意法半導(dǎo)體拓展新加坡“廠內(nèi)實驗室” 深化壓電MEMS技術(shù)合作
全球半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體（ST）宣布擴大新加坡"廠內(nèi)實驗室"（Lab-in-Fab）項目，聯(lián)合科技研究局微電子研究所 (A*STAR IME)、愛發(fā)科（ULVAC）、新加坡科技研究局材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 及新加坡國立大學(xué)（NUS），共同推進壓電MEMS技術(shù)開發(fā)。
2025-05-29
意法半導(dǎo)體 Lab-in-Fab 壓電MEMS技術(shù)
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有機實心電位器選型避坑指南：國際大廠VS國產(chǎn)新勢力
有機實心電位器是一種以有機聚合物為基材，通過填充導(dǎo)電顆粒（如碳黑、石墨）形成連續(xù)電阻體的無源電子元件。其核心結(jié)構(gòu)由電阻軌道、集電刷和轉(zhuǎn)動軸組成，通過機械旋轉(zhuǎn)改變集電刷與電阻體的接觸位置，實現(xiàn)電阻值的連續(xù)調(diào)節(jié)。
2025-05-29
有機實心電位器
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CMOS有源晶振電壓特性與精準(zhǔn)測量指南
CMOS有源晶振的供電電壓（Vcc）直接決定其輸出電壓特性。這種“高壓平、低壓差”的設(shè)計確保了數(shù)字電路的噪聲容限。例如LVCMOS3V3標(biāo)準(zhǔn)要求Voh≥3.2V（3.3V供電時），以滿足下游芯片的高電平識別閾值（≥2.0V）。供電電壓的兼容性是選型核心——如YXC YSO110TR系列支持1.8~3.3V寬壓輸入，適配低功耗IoT設(shè)備...
2025-05-29
CMOS有源晶振 電壓特性 精準(zhǔn)測量
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Arm 生態(tài)系統(tǒng)：從云端到邊緣全面驅(qū)動 AI
人工智能 (AI) 正以前所未有的速度重塑科技，成為人們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠?。Arm 計算平臺正處于這場變革的核心?；?Arm 架構(gòu)的芯片出貨量迄今已累計超過
2025-05-28
Arm 生態(tài)
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電容選型避坑手冊：參數(shù)、成本與場景化適配邏輯
電容器是一種通過電場儲存電荷的無源元件，其基本結(jié)構(gòu)由兩個導(dǎo)體極板和中間的絕緣介質(zhì)（電介質(zhì)）組成。當(dāng)兩極板施加電壓時，正負(fù)電荷在極板上積累，形成電場儲能。電容值（C）由極板面積（A）、極板間距（d）和電介質(zhì)介電常數(shù)（ε）決定。
2025-05-27
電容
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小體積大能量：陶瓷電容技術(shù)全解析：定義、原理與市場格局
陶瓷電容是以陶瓷介質(zhì)為核心，通過金屬電極層疊或涂覆形成的無源電子元件。其核心原理基于陶瓷介質(zhì)的極化效應(yīng)：當(dāng)施加電壓時，陶瓷介質(zhì)內(nèi)部的正負(fù)電荷發(fā)生位移，形成電場儲存電能；斷開電源后，電荷釋放供給電路。
2025-05-27
陶瓷電容
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線繞電阻與可調(diào)電阻技術(shù)對比及選型指南
線繞電阻與可調(diào)電阻雖同屬電阻范疇，但設(shè)計目標(biāo)、結(jié)構(gòu)特性及適用場景存在顯著差異。
2025-05-27
線繞電阻 可調(diào)電阻
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