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安森美推出系列的高性能工業(yè)應(yīng)用IC新產(chǎn)品
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充高性能工業(yè)IC的廣泛產(chǎn)品陣容,先進(jìn)全新的VLDO、GFI控制器、KNX收發(fā)器及IGBT方案彰顯公司的產(chǎn)品陣容實(shí)力和深度。高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體持續(xù)推動(dòng)高性能工業(yè)集成電路(IC)方案的電源管理。最新器件提供高度強(qiáng)固性,應(yīng)用于寬工作溫度范圍,性能突出,同時(shí)以極低能耗工作。
2012-11-16
安森美 工業(yè)應(yīng)用 IC
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EMI電流探頭的校準(zhǔn)
EMI電流探頭是一種卡式電流傳感器,專門用于測量線上的EMI電流。我們需要對(duì)EMI電流探頭的校準(zhǔn)方法進(jìn)行研究,尋找出如何對(duì)這些使用中的電流探頭進(jìn)行準(zhǔn)確定標(biāo)的方法并證明其有效性,以保證EMI檢測結(jié)果的質(zhì)量。
2012-11-16
EMI 電流 探頭 校準(zhǔn)
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針對(duì)便攜及消費(fèi)產(chǎn)品的電路保護(hù)
對(duì)于電子產(chǎn)品而言,保護(hù)電路是為了防止電路中的關(guān)鍵敏感型器件受到過流、過壓、過熱等沖擊的損害,有著極其重要的作用。本位以安森美為例,強(qiáng)調(diào)電路保護(hù)的重要,提供一些電路保護(hù)的思路。
2012-11-16
便攜 消費(fèi)產(chǎn)品 電路保護(hù)
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蘋果啟用積層陶瓷電容器,元件廠商奮起“奪食”
鑒于智能手機(jī)和節(jié)能電動(dòng)車普及,電子元件產(chǎn)業(yè)也邁入新的成長階段。由于市場潮流開始改變,只有輕巧又節(jié)能,且容量足夠的產(chǎn)品才能得到青睞,因此獲得全球消費(fèi)性電子大廠蘋果(Apple)訂單的廠商業(yè)績飛黃騰達(dá),令各個(gè)元器件廠商掙破頭顱搶奪訂單。
2012-11-15
蘋果 陶瓷電容 村田
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關(guān)于噪聲輻射的智能手機(jī)背光驅(qū)動(dòng)方案分析
在智能機(jī)廣泛應(yīng)用中,手機(jī)背光驅(qū)動(dòng)芯片按架構(gòu)分主要有:自適應(yīng)電荷泵升壓型、低壓降恒流型和電感升壓型等,不同的架構(gòu)有各自的優(yōu)缺點(diǎn)。我們就噪聲輻射問題來介紹三者的優(yōu)缺點(diǎn)。
2012-11-15
噪聲輻射 智能手機(jī) 背光驅(qū)動(dòng)
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手機(jī)中的ESD保護(hù)器件
如今在手機(jī)的生產(chǎn)過程中,ESD的問題越來越受到重視。解決ESD問題的方法,增加ESD保護(hù)器件能很好地保護(hù)手機(jī)免受ESD的影響。本文將對(duì)一些應(yīng)用在手機(jī)方面的ESD保護(hù)器件進(jìn)行介紹。
2012-11-14
手機(jī) ESD
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可以保護(hù)飛機(jī)避免雷電沖擊的TVS瞬態(tài)電壓抑制器
Microsemi推出新型高成本效益瞬態(tài)電壓抑制器,可以保護(hù)飛機(jī)避免雷電沖擊,其成本更低的專利PLAD封裝可將多次閃擊防雷電保護(hù)器件價(jià)格削減多達(dá)20%。此外,其單一組件解決方案可以節(jié)省電路板空間,減輕重量并提高可靠性,超越了通常用于提供這些高水平保護(hù)功能的多器件設(shè)計(jì)。
2012-11-14
飛機(jī) 雷電沖擊 TVS
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放大器輸入保護(hù)...福兮禍兮?
當(dāng)今的許多高速運(yùn)算放大器都具有片上輸入保護(hù)。在大多數(shù)情況下,這種保護(hù)對(duì)用戶是透明的;但在某些應(yīng)用中,這種保護(hù)可能是電路的致命弱點(diǎn)。本文討論輸入保護(hù)需求、實(shí)現(xiàn)及其潛在的缺點(diǎn)。本文還給出利用具有輸入保護(hù)功能放大器的替代方案與電路方案。
2012-11-14
放大器 輸入保護(hù)
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IDT推出最低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片
IDT推出最低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片MB3518,擁有獨(dú)有的調(diào)試和驗(yàn)證特性,包括每個(gè)引腳和晶片示波器的支持和內(nèi)置邏輯分析儀的采集以促進(jìn)全緩沖 DIMM 拓?fù)浼夹g(shù)的開發(fā)、驗(yàn)證和測試。這些特性對(duì)于 LRDIMM 模塊上的內(nèi)存緩沖到 DRAM 接口尤其重要,因?yàn)樗峭耆?dú)立于主控制器和自動(dòng)測試儀的。
2012-11-13
DDR3 內(nèi)存 美光
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