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電路保護

貿(mào)澤電子為惡劣環(huán)境應(yīng)用提供豐富的資源和設(shè)計解決方案

專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子致力于為工程師提供業(yè)界新知與新資源，幫助他們打造創(chuàng)新設(shè)計。作為全球授權(quán)分銷商，貿(mào)澤此次推出的惡劣環(huán)境內(nèi)容中心包含一系列文章、產(chǎn)品、博客和圖表，提供了工程師所需的各類信息，為他們的設(shè)計工作全程助力。

2022-02-16

貿(mào)澤電子

MOS管防電源反接電路

使用MOS管實現(xiàn)的防電源反接電路，在電源正確接入時，電源正常對負載供電。在電源正負極反接時，斷開負載電路，從而保護負載。下面講解使用“P型”MOS管的防電源反接電路。

2022-02-16

MOS管電源反接電路

充分挖掘SiC FET的性能

功率轉(zhuǎn)換器的性能通常歸結(jié)到效率和成本上。實際示例證明，在模擬工具的支持下，SiC FET技術(shù)能兼顧這兩點。

2022-02-16

SiC FET 功率轉(zhuǎn)換器

如何最大限度地發(fā)揮電動汽車電池的全部潛力

電動汽車的迅速普及加速了電池技術(shù)的創(chuàng)新，其中包括電池管理半導(dǎo)體。其中一個重要方面是集成，集成可帶來簡化設(shè)計、提高安全性和性能等優(yōu)勢。該領(lǐng)域的新進展將有助于最大限度地發(fā)揮電動汽車電池的潛力，同時又不會損害電池的健康和安全。

2022-02-15

電動汽車電池電池技術(shù)

安森美的NCP1680 PFC控制器獲2021 PowerBest獎

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi）很高興地宣布，其領(lǐng)先市場的NCP1680臨界導(dǎo)通模式(CrM)無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎。

2022-02-15

安森美 NCP1680 PFC控制器 PowerBest獎

低邊開關(guān)關(guān)斷時的柵極 – 源極間電壓的動作

下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時的做法一樣，為各事件進行了(IV)、(V)、(VI)編號。與導(dǎo)通時相比，只是VDS和ID變化的順序發(fā)生了改變，其他基本動作是一樣的。

2022-02-14

低邊開關(guān) 源極間電壓

一文弄懂IGBT驅(qū)動

要了解什么是IGBT驅(qū)動，首先你需要了解什么是IGBT。我們都知道，電機驅(qū)動是IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。

2022-02-11

IGBT驅(qū)動

【收藏】運算放大器的低功耗設(shè)計攻略

首先，我們會討論具有低靜態(tài)電流 (IQ) 的放大器以及增加反饋網(wǎng)絡(luò)電阻值與功耗的關(guān)系。

2022-02-10

運算放大器低靜態(tài)電流

LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計穩(wěn)健型同步整流解決方案

為了理解這種技術(shù)，讓我們回顧一些為LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計穩(wěn)健型同步整流解決方案時遇到的挑戰(zhàn)。在其最簡單的層面上，同步整流需要金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）仿真二極管的行為。簡言之，當電流擬從正極流向負極時，MOSFET導(dǎo)通。一旦電流開始從負極流向正極，則MOSFET關(guān)斷。

2022-02-09

LLC轉(zhuǎn)換器穩(wěn)健型同步整流