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電路保護

LDO如何更加功效

隨著物聯(lián)網(wǎng) （IoT）不斷占領(lǐng)于我們的住宅和辦公場所，我們會發(fā)現(xiàn)越來越多的電器和系統(tǒng)集成了電子元器件，而且我們能夠在世界上的任何一個角落訪問這些電器和系統(tǒng)。不過，由于有如此之多的設(shè)備被連接到我們的住宅和辦公室，我們消耗了難以計數(shù)的待機電能。

2022-02-08

LDO 物聯(lián)網(wǎng)

可編程輸入倍頻法如何減少整數(shù)邊界雜散

您曾設(shè)計過具有分數(shù)頻率合成器的鎖相環(huán)（PLL）嗎？這種合成器在整數(shù)通道上看起來很棒，但在只稍微偏離這些整數(shù)通道的頻率點上雜散就會變得高很多，是吧？如果是這樣的話，您就已經(jīng)遇到過整數(shù)邊界雜散現(xiàn)象了 —— 該現(xiàn)象發(fā)生在載波的偏移距離等于到最近整數(shù)通道的距離時。

2022-02-08

可編程輸入倍頻法整數(shù)邊界雜散

如何仿真轉(zhuǎn)換器的數(shù)字輸入／輸出

對于SAR-ADC的仿真比較復(fù)雜。目前來看，還沒有準確模擬整個器件的完整轉(zhuǎn)換器模型?，F(xiàn)有資源是一個仿真模擬輸入引腳穩(wěn)定性的模擬SPICE文件。有了它，用戶就有了一款強大工具，使用戶能夠解決其中一個最關(guān)鍵、最棘手的轉(zhuǎn)換器問題。

2022-02-08

仿真轉(zhuǎn)換器數(shù)字輸入／輸出

針對SiC串?dāng)_抑制方法的測試報告

近年來，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因其具有高開關(guān)頻率、高開關(guān)速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關(guān)速度加快，橋式電路受寄生參數(shù)影響加劇，串?dāng)_現(xiàn)象更加嚴重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負向安全電壓較小，串?dāng)_問...

2022-02-08

SiCMOSFET 串?dāng)_抑制

Bourns宣布IsoMOV? 保護器榮獲 2021 年度電子產(chǎn)品無源產(chǎn)品獎

Bourns宣布，其 IsoMOV? 保護器贏得了2021 年度電子產(chǎn)品無源產(chǎn)品獎。Bourns? IsoMOV ? 混合保護組件被選為 MOV 設(shè)備設(shè)計的重大突破。完全集成的 GDT 和 MOV 混合設(shè)計提供了一種創(chuàng)新的保護解決方案，可解決 MOV 退化問題，同時顯著提高浪涌性能、使用壽命和設(shè)備可靠性。

2022-02-07

Bourns IsoMOV? 保護器無源產(chǎn)品獎

貿(mào)澤電子新品推薦：2021全年推出近70000個新物料

致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子，首要任務(wù)是提供來自1200多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計出先進產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。

2022-01-27

貿(mào)澤電子新物料

在當(dāng)今高壓半導(dǎo)體器件上執(zhí)行擊穿電壓和漏流測量

在經(jīng)過多年研究和設(shè)計之后，碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來越實用。這些器件盡管性能很高，但它們也帶來了許多挑戰(zhàn)，包括柵極驅(qū)動要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多，在負偏置電壓時會關(guān)閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多，要求嚴格的柵極驅(qū)動設(shè)計。寬帶隙(WBG)器件由于物理特點，...

2022-01-27

高壓半導(dǎo)體器件擊穿電壓漏流測量

擔(dān)心柵極驅(qū)動器的絕緣能力？采用'BIER'測試吧

最新的寬帶間隙（WBG）半導(dǎo)體正走向最理想的狀態(tài)，也就是具有高電壓和低損耗的超快速切換，而現(xiàn)代的MOSFET和溝槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而，下橋臂電路中的快速切換會將瞬態(tài)電壓耦合到柵極驅(qū)動電路，從而造成混亂或損壞，同時上橋臂柵極驅(qū)動器的信號和電源隔離還會受到應(yīng)力影響。本文將探討...

2022-01-27

柵極驅(qū)動器絕緣能力 BIER測試