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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展;現(xiàn)在國際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器,體積只有5~10年前的1/4~1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí),需要高度不超過其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-26
繼電器
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MKP 339 X2/338 2 X2/336 2 X2:Vishay新型X2 EMI抑制薄膜電容器
Vishay目前宣布,推出三款最大電源電壓可升至310 VAC的新型X2 電磁干擾(EMI)抑制薄膜電容器,該電容器具有較寬的引腳腳距和電容值范圍。
2008-09-26
MKP339 X2 MKP338 2 X2 MKP336 2 X2 薄膜電容器
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無源器件發(fā)展?fàn)顩r
對(duì)于越來越多的便攜電子系統(tǒng)來說,無源元件的小型化依然是一個(gè)重要課題.小型化的目標(biāo)是在較小的封裝中實(shí)現(xiàn)至少相同的性能.對(duì)于電容而言,不但要求在尺寸較小的封裝中實(shí)現(xiàn)更大的電容量,而且希望提高可耐受電壓;對(duì)于電阻而言,也要求在較小的封裝中達(dá)到相同或更高的性能。
2008-09-25
MLCC 電阻 鉭貼片電容
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TDK開發(fā)出1005尺寸移動(dòng)設(shè)備用薄膜帶通濾波器
TDK公司宣布開發(fā)出一款厚度僅0.3mm的1005尺寸薄膜帶通濾波器。TDK采用了其在HDD磁頭(TDK的主打產(chǎn)品)生產(chǎn)中研發(fā)的薄膜工藝,從而制造出真正低高度 (low-profile)且體積縮小至早期的2012尺寸產(chǎn)品1/12的濾波器。
2008-09-25
帶通濾波器
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滿足數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)的超薄、緊湊型DC/DC穩(wěn)壓器模塊
模擬DC/DC穩(wěn)壓器IC設(shè)計(jì)師和封裝工程師采用創(chuàng)造性的方法推出具更佳熱性能、更低噪聲和更緊湊尺寸的DC/DC穩(wěn)壓器負(fù)載點(diǎn)(POL)解決方案后,凌力爾特公司推出了最新 DC/DC 微型模塊(μModuleTM)穩(wěn)壓器LTM4604,本文詳細(xì)介紹了LTM4604的若干優(yōu)點(diǎn)及相關(guān)性能。
2008-09-25
DC/DC 穩(wěn)壓器 LTM4604 電流模式架構(gòu) POL 系統(tǒng)
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電子元器件:終端市場未來價(jià)格壓力加大
半導(dǎo)體:08年上半年國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)收入增長10.4%,增速創(chuàng)近5年來的新低,2007年全球分立式功率器件和模塊市場增長9.3%,未來五年年均增長8-9%。
2008-09-24
分立式功率器件 元器件
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中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
在中國中,電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置,MOSFET位于第二位,大功率晶體管位于第三位,此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT銷售額雖然不大,但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多,其市場銷售額保持著較快的增長,是中國功率器件市場中的新興產(chǎn)品。
2008-09-24
MOSFET 電源 穩(wěn)壓器管理IC IGBT
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展;現(xiàn)在國際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器,體積只有5~10年前的1/4~1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí),需要高度不超過其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-24
繼電器
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Epson Toyocom開發(fā)出高性能的水晶絕對(duì)壓力傳感器
Epson Toyocom公司開發(fā)出小型,高性能的水晶壓力傳感器,采用獨(dú)創(chuàng)的QMEMS技術(shù)制造出的壓力傳感結(jié)構(gòu),以此開發(fā)出具有±10帕(約一萬分之一氣壓)的高精度與0.1帕的高分辨能力的高性能且體積為12.5ml、重量為15g的小型水晶絕對(duì)壓力傳感器。
2008-09-24
壓力傳感器
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