-
08年國(guó)內(nèi)高純多晶硅產(chǎn)量同比爆增263.7%
國(guó)內(nèi)20多個(gè)省市把光伏產(chǎn)業(yè)作重點(diǎn)，規(guī)劃或計(jì)劃建設(shè)多晶硅項(xiàng)目，國(guó)內(nèi)對(duì)千噸級(jí)多晶硅的規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)尚未完全掌握，但光伏太陽(yáng)能下游產(chǎn)能增長(zhǎng)快，為國(guó)內(nèi)多晶硅企業(yè)提升工藝技術(shù)留下緩沖時(shí)間。
2009-01-14
洛陽(yáng)中硅 新光硅業(yè) 江蘇中能 東汽峨嵋 多晶硅 光伏產(chǎn)業(yè) 太陽(yáng)能
-
機(jī)電產(chǎn)品出口退稅率上調(diào) 中小企業(yè)受益
2008年12月29日，財(cái)政部、國(guó)家稅務(wù)總局宣布從2009年1月1日起，提高部分技術(shù)含量和附加值高的機(jī)電產(chǎn)品出口退稅率。2008年我國(guó)已先后3次調(diào)高紡織、服裝、輕工和部分機(jī)電產(chǎn)品的出口退稅率，綜合退稅率上調(diào)1.6個(gè)百分點(diǎn)。此次出口退稅率的上調(diào)無(wú)疑給遭遇國(guó)際需求疲軟的家電企業(yè)更多支持和信心。但是，專...
2009-01-14
機(jī)電產(chǎn)品 退稅率 金融危機(jī)
-
SiA850DJ ：Vishay集成190V功率二極管的MOSFET
日前，Vishay宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK SC-70 封裝的 SiA850DJ 還是在 1.8V VGS 時(shí)具有導(dǎo)通電阻額定值的業(yè)界首款此類器件。
2009-01-09
SiA850DJ MOSFET 二極管 轉(zhuǎn)化器 便攜式設(shè)備
-
2009年醫(yī)療保健和無(wú)線領(lǐng)域仍將繁榮
ABI Research預(yù)測(cè)，明年有兩個(gè)電子市場(chǎng)將繼續(xù)“爆炸性增長(zhǎng)”：視頻監(jiān)控與網(wǎng)真(telepresence)。這兩個(gè)領(lǐng)域均在迅速擴(kuò)張，尤其是在互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議(IP)領(lǐng)域。網(wǎng)絡(luò)攝像頭與遠(yuǎn)程醫(yī)療診斷設(shè)備市場(chǎng)2009年將繼續(xù)增長(zhǎng)。
2009-01-09
醫(yī)療保健 無(wú)線領(lǐng)域 Wi-Fi
-
政策引導(dǎo)和技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)09年中國(guó)太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整
賽迪顧問(wèn)研究認(rèn)為，隨著全球?qū)稍偕?、清潔和安全能源需求的日益提升，薄膜技術(shù)等新技術(shù)的創(chuàng)新和成本的逐步降低，09年中國(guó)太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)將會(huì)在產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)上出現(xiàn)局部調(diào)整，新的應(yīng)用也將涌現(xiàn)市場(chǎng)。
2009-01-09
太陽(yáng)能 產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu) 薄膜技術(shù) 移動(dòng)電源
-
Vicor推出分比式功率結(jié)構(gòu)的新式電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
懷格公司（Vicor）在一系列獨(dú)有的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的基礎(chǔ)上在推出一種新的電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu),稱作分比式功率結(jié)構(gòu)（Factorized Power Architecture）,簡(jiǎn)稱FPA。
2009-01-08
Vicor 電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu) V·I 晶片 FPA VIC
-
IHLP-2020BZ-11：Vishay超薄大電流電感器
近日，Vishay宣布推出新型IHLP 超薄大電流電感器 --- IHLP-2020BZ-11 。這款小型器件具有 2.0mm 超薄厚度、廣泛的電感范圍和較低的 DCR 。
2009-01-08
IHLP-2020BZ-11 電感 電源 便攜應(yīng)用
-
雙向可控硅的設(shè)計(jì)及應(yīng)用分析
本文分析了雙向可控硅的設(shè)計(jì)及參數(shù)選取方法，同時(shí)介紹了雙向可控硅的安裝方法.
2009-01-08
可控硅 電流上升率 導(dǎo)熱硅脂 觸發(fā) 參數(shù) VDRM VRRM 額定電流 VTM 維持電流 電壓上升率 電流上升率 門極觸發(fā)電流
-
QPI-12 ：支持7A負(fù)載的V·I芯片EMI濾波器
QPI-12 EMI濾波器主要設(shè)計(jì)用于衰減傳導(dǎo)性共模和差模噪聲，以滿足CISPR22要求。該濾波器的設(shè)計(jì)工作電壓范圍為10~76Vdc，溫度高達(dá)80℃時(shí)仍能支持7A負(fù)載，不需降額。
2009-01-07
QPI-12 EMI 濾波器 懷格
- 國(guó)產(chǎn)濾波技術(shù)突破：金升陽(yáng)FC-LxxM系列實(shí)現(xiàn)寬電壓全場(chǎng)景覆蓋
- 空間受限難題有解：Molex SideWize直角連接器重塑高壓布線架構(gòu)
- 信號(hào)切換全能手：Pickering 125系列提供了從直流到射頻的完整舌簧繼電器解決方案
- 射頻供電新突破：Flex發(fā)布兩款高效DC/DC轉(zhuǎn)換器，專攻微波與通信應(yīng)用
- 電源架構(gòu)革新：多通道PMIC并聯(lián)實(shí)現(xiàn)大電流輸出的設(shè)計(jì)秘籍
- 百克級(jí) MR 眼鏡的 “心臟” 揭秘：萬(wàn)有引力 G-X100 芯片領(lǐng)跑全球
- 告別安全隱患？‘史上最嚴(yán)’充電寶國(guó)標(biāo)即將出臺(tái)，劣質(zhì)產(chǎn)品無(wú)處遁形
- “芯”品發(fā)布｜鎵未來(lái)推出“9mΩ”車規(guī)級(jí) GaN FET ，打破功率氮化鎵能效天花板！
- Home Bus系統(tǒng)電感選型避坑指南：PoD應(yīng)用中的關(guān)鍵考量
- 工程師必讀：步進(jìn)電機(jī)選型避坑指南，精準(zhǔn)匹配應(yīng)用需求
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
