-
整流電容濾波負載實例
六期連載，整流電路AC/DC變換應(yīng)用非常廣泛，其中二極管整流在電機驅(qū)動中是主流的方案，而且功率范圍很廣，所以了解二極管整流工程設(shè)計非常重要。
2022-09-23
整流 電容濾波 負載
-
功率放大器模塊及其在5G設(shè)計中的作用
許多射頻設(shè)計人員都對 Franklin Douglass 的名言深有同感：“沒有斗爭就沒有進步?！痹跒?5G 進行設(shè)計時，尤其如此。科技有望改變無線通信，但也會帶來設(shè)計難題。利用功率放大器模塊 (PAM) 來化解。以下是你需要知道的一切。
2022-09-23
功率放大器 模塊 5G
-
什么是dV/dt失效
如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導(dǎo)通，從而越容易發(fā)生失效...
2022-09-22
dV/dt失效 MOSFET
-
什么是雪崩失效
當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，就會發(fā)生擊穿。當施加高于BVDSS的高電場時，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩式增加的現(xiàn)象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內(nèi)部二極管電流呈反方向流動的電流稱為“雪...
2022-09-22
MOSFET 失效機理 雪崩擊穿
-
為什么要計算電容器壽命？
電解電容器和聚合物混合電容器具有多項優(yōu)點，然而它們的使用壽命有限，用戶需要借助算法來確定其壽命。
2022-09-22
計算 電容器 壽命
-
在實時控制系統(tǒng)中使用傳感器優(yōu)化數(shù)據(jù)可靠性的3個技巧
實時控制是閉環(huán)系統(tǒng)在定義的時間窗口內(nèi)收集數(shù)據(jù)、處理數(shù)據(jù)并更新系統(tǒng)的能力。作為文章“實時控制簡介及其重要性”的續(xù)篇，本文將詳細介紹實時控制系統(tǒng)的第一個功能塊“檢測（收集）數(shù)據(jù)”，并針對如何通過關(guān)注特定傳感器參數(shù)來優(yōu)化實時控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)捕獲提供了三個技巧。
2022-09-22
實時控制 傳感器 優(yōu)化數(shù)據(jù)
-
表面貼裝的散熱面積估算和注意事項
到目前為止，我們已經(jīng)介紹過使用熱阻和熱特性參數(shù)來估算TJ的方法。本文將介紹在表面貼裝應(yīng)用中，如何估算散熱面積以確保符合TJ max，以及與熱相關(guān)的元器件布局注意事項。
2022-09-21
表面貼裝 散熱面積 估算
- 成本與性能的平衡：振蕩線圈技術(shù)深度解析與選型建議
- 十一月上海見！106屆中國電子展預(yù)登記開啟，共探產(chǎn)業(yè)新機遇
- 清潔電器智能化升級：MCU芯片性能成差異化競爭核心
- Cadence與NVIDIA強強聯(lián)合，數(shù)字孿生平臺新模型助推AI數(shù)據(jù)中心高效部署
- 偏轉(zhuǎn)線圈技術(shù)解析：從基礎(chǔ)原理到選型要則的全景指南
- Spectrum推出多通道GHz數(shù)字化儀，最高支持12通道
- 安森美破解具身智能落地難題，全鏈路方案助推機器人產(chǎn)業(yè)化
- AMD 推出 EPYC? 嵌入式 4005 處理器，助力低時延邊緣應(yīng)用
- 機電執(zhí)行器需要智能集成驅(qū)動器解決方案以增強邊緣智能
- 廣東國際水處理技術(shù)與設(shè)備展覽會邀請函
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
