久久亚洲中文字幕丝袜长腿,国产一级牲交高潮片无码观看视频,国产黄色激情在线观看

互連技術(shù)

英飛凌AURIX TC3x新增支持FreeRTOS

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的AURIX? TC3x微控制器（MCU）系列新增了對FreeRTOS的支持。

2024-12-03

英飛凌

借助支持邊緣 AI 的 MCU 優(yōu)化實時控制系統(tǒng)中的系統(tǒng)故障檢測

本文中將討論集成式微控制器 (MCU) 如何增強高壓實時控制系統(tǒng)中的故障檢測功能。此類 MCU 使用集成神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元 (NPU) 運行卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) (CNN) 模型，幫助在監(jiān)測系統(tǒng)故障時降低延遲和功耗。通過將邊緣 AI 功能集成到用于管理實時控制的同一 MCU 中，可以幫助您優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計，同時增強整體性能。

2024-12-02

邊緣 AI MCU 實時控制系統(tǒng)

第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層

SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時必須考慮到這一點。

2024-12-02

SiC 柵極絕緣層

貿(mào)澤推出RISC-V技術(shù)資源中心探索開源的未來

貿(mào)澤電子推出內(nèi)容豐富的RISC-V資源中心，為設(shè)計工程師提供新技術(shù)和新應(yīng)用的相關(guān)知識。隨著開源架構(gòu)日益普及，RISC-V從眾多選項中脫穎而出，成為開發(fā)未來先進軟硬件的新途徑。從智能手機和IoT設(shè)備，再到高性能計算，RISC-V正在各行各業(yè)中發(fā)展成為更主流的指令集架構(gòu) (ISA)。

2024-12-02

貿(mào)澤 RISC-V技術(shù)

迎機遇、創(chuàng)發(fā)展，廣州國際汽車電子&功率半導(dǎo)體技術(shù)盛會，邀您共精彩！

3.1.jpg 2025年11月20-22日，第十二屆廣州國際汽車電子技術(shù)展覽會，將于廣州保利世貿(mào)博覽館盛大舉辦！

2024-11-29

AUTO TECH China

英飛凌推出集成I2t線路保護功能的PROFET Wire Guard，通過eFuses實現(xiàn)可靠配電

現(xiàn)代分散式分區(qū)配電架構(gòu)需要可靠的解決方案。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）通過 PROFET? Wire Guard為開發(fā)人員提供先進的現(xiàn)代配電線路保護。

2024-11-29

英飛凌

意法半導(dǎo)體比較器具有故障安全和啟動時間保障，提高可靠性，節(jié)省電能

意法半導(dǎo)體的TS3121和TS3121A軌對軌、開漏、單通道比較器具有創(chuàng)新的故障安全架構(gòu)和啟動時間保障，可以簡化短時間啟動過程，在低功率應(yīng)用中最大限度地降低功耗。

2024-11-28

意法半導(dǎo)體比較器

貿(mào)澤電子深入探討以人為本的工業(yè)5.0新變革

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布新一期Empowering Innovation Together (EIT) 技術(shù)系列，重點介紹新興的工業(yè)5.0格局。在這個工業(yè)化的新階段，人類、環(huán)境和社會等因素都將作為重要的方面，體現(xiàn)在未來工廠車間的先進技術(shù)、機器人和智能機器中。

2024-11-28

貿(mào)澤電子工業(yè)5.0